前英特尔 CEO 基辛格称 HBM 是“糟糕的内存”

前英特尔 CEO 帕特·基辛格在 a16Z 专访中批评高带宽内存（HBM）位密度低、带宽受限且散热困难，称其为“糟糕的内存”，并认为它对 AI 这类内存计算密集型工作负载是灾难性的。他提到 HBM3/3E 总线宽度为 1,024 位、HBM4 提升至 2,048 位，韩国科学技术院分析显示 HBM 功耗超过约 30 瓦时，PHY 接口自身发热会成为内存热应力的主要来源。