三星电子开发 zNAND-T 与 zNAND-I 闪存，分别优化吞吐量与随机性能

三星电子正在开发 zNAND-T 与 zNAND-I 两款 AI 负载优化 NAND 闪存，加上此前公布的 zNAND-O 共三种型号。zNAND-T 的 "T" 代表吞吐量，采用 TSV 堆叠 NAND Die，类似闪迪和 SK 海力士的 HBF 概念；zNAND-I 的 "I" 指 IOPS，强调少量数据频繁读写，KV Cache 卸载即属此类场景。