三星计划明年初完成3D Cube-H开发

三星电子计划明年初完成先进封装技术“3D Cube-H”的开发，该技术主要面向超高性能 AI 芯片。 3D Cube-H 采用混合键合，端子间距约 6 μm，远小于传统 TC 键合至少约 25 μm 的水平，可提升芯片连接密度并降低每比特能耗。三星计划明年初完成首个设计套件，随后与潜在客户展开评估，有望为其晶圆代工业务带来大客户订单。

AI 根据报道生成 · 53 分钟前更新

还没有足够的连续观测数据，暂不绘制趋势。